Термодинамика и кинетика гетерогенного синтеза материалов новым методом замещения атомов: Фазовый переход через промежуточное состояние. Нано-SiC на Si — новый материал для микро и оптоэлектроники
Вернуться к обычному виду

Термодинамика и кинетика гетерогенного синтеза материалов новым методом замещения атомов: Фазовый переход через промежуточное состояние. Нано-SiC на Si — новый материал для микро и оптоэлектроники


25.03.2016

Докладчик(и):  Кукушкин Сергей Арсеньевич, ИПМаш РАН, Санкт-Петербург
Дата, время проведения:  28 марта 2016 г. Понедельник 11:00
Адрес:  Ижорская ул., д. 13, стр. 2, корп. К6, ком. 230



Возврат к списку


Термодинамика и кинетика гетерогенного синтеза материалов новым методом замещения атомов: Фазовый переход через промежуточное состояние. Нано-SiC на Si — новый материал для микро и оптоэлектроники