Вернуться к обычному виду

Аспирантура ОИВТ РАН

 
Заведующая аспирантурой - Петрова Лилия Павловна, рабочий телефон: 485 98 77
e-mail: amirovravil@yandex.ru
 

Оформление в аспирантуру:

В аспирантуру принимаются граждане Российской Федерации и иностранные граждане ( на контрактной основе), имеющие высшее профессиональное образование и творческие достижения в научной работе.
Обучение в аспирантуре осуществляется по очной и заочной формам по следующим направлениям (специальностям): 01.04.08-Физика плазмы;
01.04.13- Электрофизика, электрофизические установки; 01.04.14 - Теплофизика и теоретическая теплотехника; 02.00.04 - Физическая химия; 05.14.01 - Энергетические системы и комплексы; 05.14.08 - Энергоустановки на основе возобновляемых видов энергии.
 
Прием документов в аспирантуру с 15 августа по 10 сентября и с 15 февраля по 10 марта. Зачисление успешно сдавших экзамены с 1 октября и с 1 апреля.
 
Срок обучения в очной аспирантуре - 3 года, в заочной - 4 года (заочная форма обучения не освобождает от службы в армии, во время обучения не выплачивается стипендия и пособие на приобретение научной литературы).
 
 

Вступительные экзамены :

 
Поступающие в аспирантуру сдают вступительные экзамены:
  • по специальной дисциплине в объеме действующей программы в ОИВТ РАН;
  • по иностранному языку ( сданный ранее кандидатский экзамен может быть засчитан как вступительный), экзамен по ин. языку сдается на кафедре ин языков Института языкознания РАН по адресу: ул. Вавилова д.44 кор.2

    Вступительный экзамен по иностранному языку включает:

    1. Письменный перевод со словарем текста по широкой специальности объемом 2000 печ.знаков.

    2.Устный перевод текста по широкой специальности объемом 1200 печ. зн.со словарем.
    Подготовка 15 мин.

    3. Беседа по специальности.

  • по философии ('программу см. на сайте института философии РАН)Экзамен по философии сдается на кафедре философии Института философии РАН по адресу: ул.Волхонка, 14.

 
ПЕРЕСДАЧА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ЭКЗАМЕНОВ НЕ ДОПУСКАЕТСЯ !
Оценка, полученная на вступительном экзамене, действительна до конца календарного года.

 

 

Поступающий в аспирантуру должен сдать следующие документы:

-заявление по образцу:
Директору Учреждения ОИВТ РАН
Академику Фортову В.Е.
От (молодого специалиста, инженера, научного
сотрудника
Ф.И.О.
ЗАЯВЛЕНИЕ
Прошу принять меня в (очную, заочную) аспирантуру Учреждения Объединенного института высоких температур РАН по специальности (название специальности).
Подпись, число, год.

-             рекомендация Ученого совета факультета (выписка из протокола) для поступающих непосредственно после окончания ВУЗа;
-               копия диплома государственного образца о высшем профессиональном образовании и приложение к нему / для лиц, получивших образование за рубежом, включая граждан СНГ - копия соответствующего диплома, а также копия свидетельства об эквивалентности документов иностранных государств об образовании диплому о высшем профессиональном образовании РФ;
-анкеты (заполняются при подаче заявления);
-списки опубликованных научных работ, изобретений и отчетов по НИР при их наличии
или реферата;
-отзыва предполагаемого научного руководителя на предоставленный реферат;
-               удостоверение о сдаче кандидатских экзаменов при наличии у поступающего сданных кандидатских экзаменов;
Документ, удостоверяющий личность (паспорт), и диплом об окончании высшего учебного заведения поступающиепредставляют лично.

Иногородним на время вступительных экзаменов и на период обучения в аспирантуре представляется общежитие.

Обучение в аспирантуре

Аспирант за время обучения в аспирантуре ОБЯЗАН:

1 .Полностью выполнить индивидуальный учебный план;
2. Сдать кандидатские экзамены по философии, ин.языку и специальной дисциплине; Сессии по приему кандидатских экзаменов проводятся с 15 октября по 15 ноября и с 15 мая по 15 июня.
3.Завершить работу над диссертацией.

Аспиранты ежегодно проходят аттестацию (контроль за выполнением индивидуальных планов). По результатам аттестации в случае невыполнения индивидуального плана аспирант отчисляется


Аспирантура ОИВТ РАН